高电子迁移率晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110001515.X
申请日
2011-01-06
公开(公告)号
CN102130159A
公开(公告)日
2011-07-20
发明(设计)人
张进成 付小凡 郝跃 马晓华 王冲 陈珂 马俊彩 刘子扬 林志宇 张凯
申请人
申请人地址
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L2920 H01L29205 H01L21335
代理机构
陕西电子工业专利中心 61205
代理人
王品华;朱红星
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
刘梅 .
中国专利 :CN109560129A ,2019-04-02
[2]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
吴绍飞 .
中国专利 :CN109285881A ,2019-01-29
[3]
高电子迁移率晶体管的制备方法及高电子迁移率晶体管 [P]. 
李翔 ;
韩廷瑜 .
中国专利 :CN120936062A ,2025-11-11
[4]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
乔夫·德卢伊 .
:CN110754002B ,2024-03-19
[5]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
刘柏均 ;
喻中一 ;
陈祈铭 ;
江振豪 .
中国专利 :CN103943674A ,2014-07-23
[6]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
杨伟臣 ;
何伟志 .
中国专利 :CN120111925A ,2025-06-06
[7]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
刘柏均 ;
喻中一 ;
陈祈铭 ;
江振豪 .
中国专利 :CN110277446A ,2019-09-24
[8]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
张韵 ;
何佳恒 ;
张连 .
中国专利 :CN120018544A ,2025-05-16
[9]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
乔夫·德卢伊 .
中国专利 :CN110754002A ,2020-02-04
[10]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
魏星 ;
王中健 ;
狄增峰 ;
方子韦 .
中国专利 :CN103745989B ,2014-04-23