高电子迁移率晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710884530.0

申请日：

2017-09-26

公开(公告)号：

CN109560129A

公开(公告)日：

2019-04-02

发明(设计)人：

刘梅

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市雨花台区板桥街道振兴路59号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-02	公开	公开
2021-03-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20190402

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管 [P].

张进成 ;

付小凡 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

陈珂 ;

马俊彩 ;

刘子扬 ;

林志宇 ;

张凯 .

中国专利 :CN102130159A ,2011-07-20

[2]

高电子迁移率晶体管 [P].

吴绍飞 .

中国专利 :CN109285881A ,2019-01-29

[3]

高电子迁移率晶体管的制备方法及高电子迁移率晶体管 [P].

李翔 ;

韩廷瑜 .

中国专利 :CN120936062A ,2025-11-11

[4]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

:CN110754002B ,2024-03-19

[5]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘柏均 ;

喻中一 ;

陈祈铭 ;

江振豪 .

中国专利 :CN103943674A ,2014-07-23

[6]

高电子迁移率晶体管 [P].

杨伟臣 ;

何伟志 .

中国专利 :CN120111925A ,2025-06-06

[7]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘柏均 ;

喻中一 ;

陈祈铭 ;

江振豪 .

中国专利 :CN110277446A ,2019-09-24

[8]

高电子迁移率晶体管 [P].

张韵 ;

何佳恒 ;

张连 .

中国专利 :CN120018544A ,2025-05-16

[9]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

中国专利 :CN110754002A ,2020-02-04

[10]

高电子迁移率晶体管 [P].

魏星 ;

王中健 ;

狄增峰 ;

方子韦 .

中国专利 :CN103745989B ,2014-04-23

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