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屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311746988.1
申请日：
2023-12-19
公开(公告)号：
CN117727787A
公开(公告)日：
2024-03-19
发明(设计)人：
杨旭刚
田月姣
申请人：
深圳市创飞芯源半导体有限公司
申请人地址：
518057 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科技路9号桑达科技工业大厦525
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/423
H01L21/28
H01L21/336
代理机构：
北京清辰科创知识产权代理事务所(普通合伙) 16133
代理人：
王玉玺
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231219 |
| 2024-03-19 | 公开 | 公开 |
| 2025-03-28 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 29/78申请公布日:20240319 |