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屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010906159.5
申请日：
2020-09-01
公开(公告)号：
CN111834463A
公开(公告)日：
2020-10-27
发明(设计)人：
杨国江
赖信彰
于世珩
申请人：
申请人地址：
211800 江苏省南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦C栋13楼
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
H01L29423
代理机构：
北京布瑞知识产权代理有限公司 11505
代理人：
孟潭
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-11-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200901 |
| 2020-10-27 | 公开 | 公开 |