一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210789630.6

申请日：

2022-07-05

公开(公告)号：

CN115148670A

公开(公告)日：

2022-10-04

发明(设计)人：

高学罗杰馨柴展王贺

申请人：

申请人地址：

201822 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法 [P].

高学 ;

罗杰馨 ;

柴展 ;

王贺 .

中国专利 :CN115172169B ,2025-07-11

[2]

屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法、芯片 [P].

李金耀 .

中国专利 :CN119584592B ,2025-04-18

[3]

屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法、芯片 [P].

李金耀 .

中国专利 :CN119584592A ,2025-03-07

[4]

一种屏蔽栅沟槽结构、屏蔽栅沟槽MOSFET [P].

孙健 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN215266310U ,2021-12-21

[5]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法 [P].

段双亮 ;

完颜文娟 ;

袁力鹏 ;

常虹 ;

段宝睿 .

中国专利 :CN118398500B ,2024-09-17

[6]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法 [P].

段双亮 ;

完颜文娟 ;

袁力鹏 ;

常虹 ;

段宝睿 .

中国专利 :CN118398500A ,2024-07-26

[7]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备 [P].

杨国江 ;

范荣定 ;

陈炜 ;

刘健 ;

夏昊天 ;

葛海波 .

中国专利 :CN111244176A ,2020-06-05

[8]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备 [P].

杨国江 ;

赖信彰 ;

于世珩 .

中国专利 :CN111834463B ,2024-06-18

[9]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备 [P].

杨国江 ;

赖信彰 ;

于世珩 .

中国专利 :CN111834463A ,2020-10-27

[10]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制备方法 [P].

焦伟 ;

余强 ;

桑雨果 ;

姚鑫 .

中国专利 :CN108257869A ,2018-07-06

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