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屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法、芯片
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510136576.9
申请日：
2025-02-07
公开(公告)号：
CN119584592B
公开(公告)日：
2025-04-18
发明(设计)人：
李金耀
申请人：
深圳天狼芯半导体有限公司
申请人地址：
518063 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
IPC主分类号：
H10D30/63
IPC分类号：
H10D30/01
H10D64/27
H10D64/01
H10D62/10
代理机构：
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人：
林春梅
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-25 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移IPC(主分类):H10D 30/63登记生效日:20250709变更事项:专利权人变更前权利人:深圳天狼芯半导体有限公司变更后权利人:天狼芯半导体（杭州）有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:518063 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905变更后权利人:310000 浙江省杭州市萧山区杭州空港经济区保税路西侧保税大厦193-6室（自主申报） |
| 2025-03-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/63申请日:20250207 |
| 2025-04-18 | 授权 | 授权 |
| 2025-03-07 | 公开 | 公开 |