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屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511186910.8
申请日：
2025-08-22
公开(公告)号：
CN121099634A
公开(公告)日：
2025-12-09
发明(设计)人：
胡嘉宁 孙文镇 许晨强 黄子铭 陶欣欣 刘秀勇
申请人：
华虹半导体制造（无锡）有限公司
申请人地址：
214142 江苏省无锡市新吴区新洲路30-1号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/60 H10D64/01 H10D64/27
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
崔莹
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-09 公开 公开
2025-12-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250822
共 50 条
[1]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
胡嘉宁 ;
孙文镇 ;
许晨强 ;
黄子铭 ;
陶欣欣 ;
刘秀勇 .
中国专利 :CN121099635A ,2025-12-09
[2]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
焦伟 ;
余强 ;
桑雨果 ;
姚鑫 ;
骆菲 .
中国专利 :CN107808903A ,2018-03-16
[3]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件 [P]. 
罗志永 ;
陈敏 ;
欧新华 ;
袁琼 .
中国专利 :CN120751721A ,2025-10-03
[4]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法 [P]. 
魏雪娇 ;
陈敏 ;
欧新华 ;
袁琼 .
中国专利 :CN120882048A ,2025-10-31
[5]
一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
赵承杰 ;
周炳 .
中国专利 :CN119653805A ,2025-03-18
[6]
屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件 [P]. 
周振强 ;
徐承福 .
中国专利 :CN216213475U ,2022-04-05
[7]
屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
余健 .
中国专利 :CN119342867B ,2025-10-24
[8]
屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
余健 .
中国专利 :CN119342867A ,2025-01-21
[9]
屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P]. 
范让萱 ;
缪进征 .
中国专利 :CN107527948B ,2017-12-29
[10]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构 [P]. 
张鹏程 ;
孟宇 .
中国专利 :CN223452327U ,2025-10-17
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