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屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710942900.1
申请日：
2017-10-11
公开(公告)号：
CN107808903A
公开(公告)日：
2018-03-16
发明(设计)人：
焦伟
余强
桑雨果
姚鑫
骆菲
申请人：
申请人地址：
401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423
H01L2906
H01L21336
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
罗泳文
法律状态：
发明专利申请公布后的驳回
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-06-17 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20180316 |
| 2019-02-15 | 著录事项变更 | 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:申请人 变更前:中航（重庆）微电子有限公司 变更后:华润微电子（重庆）有限公司 变更事项:地址 变更前:401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号 变更后:401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号 |
| 2018-03-16 | 公开 | 公开 |
| 2018-04-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171011 |