一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411824202.8

申请日：

2024-12-12

公开(公告)号：

CN119653805A

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

赵承杰周炳

申请人：

德兴市意发功率半导体有限公司

申请人地址：

334200 江西省上饶市德兴市高新技术产业园

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D64/27

代理机构：

苏州启华专利代理事务所(普通合伙) 32357

代理人：

顾军

法律状态：

公开

国省代码：

江西省上饶市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241212

共 50 条

[1]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

胡嘉宁 ;

孙文镇 ;

许晨强 ;

黄子铭 ;

陶欣欣 ;

刘秀勇 .

中国专利 :CN121099634A ,2025-12-09

[2]

分离栅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

苗东铭 ;

余远强 ;

杨世红 ;

徐永年 ;

李小红 .

中国专利 :CN117153885B ,2024-05-28

[3]

一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王彩琳 ;

孙丞 .

中国专利 :CN101540338A ,2009-09-23

[4]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

胡嘉宁 ;

孙文镇 ;

许晨强 ;

黄子铭 ;

陶欣欣 ;

刘秀勇 .

中国专利 :CN121099635A ,2025-12-09

[5]

一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

陈子珣 ;

涂元元 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN111697077B ,2020-09-22

[6]

分离栅沟槽MOSFET结构及其制备方法 [P].

苗东铭 ;

杨世红 ;

徐永年 ;

李小红 ;

李维 ;

王章 ;

杭朝阳 .

中国专利 :CN120676680A ,2025-09-19

[7]

一种分离栅沟槽型MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

贺俊杰 .

中国专利 :CN117497602A ,2024-02-02

[8]

一种分离栅沟槽型MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

贺俊杰 .

中国专利 :CN117497602B ,2024-04-19

[9]

一种隔离栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P].

胡盖 ;

黄传伟 ;

夏华秋 ;

谈益民 .

中国专利 :CN112802754B ,2021-05-14

[10]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

焦伟 ;

余强 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

骆菲 .

中国专利 :CN107808903A ,2018-03-16

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