一种隔离栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110011365.4

申请日：

2021-01-06

公开(公告)号：

CN112802754B

公开(公告)日：

2021-05-14

发明(设计)人：

胡盖黄传伟夏华秋谈益民

申请人：

申请人地址：

214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

代理人：

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/336 变更事项:申请人变更前:江苏东海半导体科技有限公司变更后:江苏东海半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号变更后:214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
2021-05-14	公开	公开
2021-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210106
2022-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王彩琳 ;

孙丞 .

中国专利 :CN101540338A ,2009-09-23

[2]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 .

中国专利 :CN107527948B ,2017-12-29

[3]

屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件 [P].

周振强 ;

徐承福 .

中国专利 :CN216213475U ,2022-04-05

[4]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

胡嘉宁 ;

孙文镇 ;

许晨强 ;

黄子铭 ;

陶欣欣 ;

刘秀勇 .

中国专利 :CN121099634A ,2025-12-09

[5]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

焦伟 ;

余强 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

骆菲 .

中国专利 :CN107808903A ,2018-03-16

[6]

沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

蒋容 .

中国专利 :CN111370487B ,2020-07-03

[7]

一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

赵承杰 ;

周炳 .

中国专利 :CN119653805A ,2025-03-18

[8]

一种屏蔽栅-沟槽型MOSFET的结构及其制造方法 [P].

杨国江 ;

于世珩 ;

张胜凯 ;

白宗纬 .

中国专利 :CN112736138B ,2021-04-30

[9]

沟槽型功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN105957895A ,2016-09-21

[10]

一种沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法 [P].

黄利 ;

胡磊 .

中国专利 :CN119855183A ,2025-04-18

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