一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910022272.0

申请日：

2009-04-29

公开(公告)号：

CN101540338A

公开(公告)日：

2009-09-23

发明(设计)人：

王彩琳孙丞

申请人：

申请人地址：

710048陕西省西安市金花南路5号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L21336

代理机构：

西安弘理专利事务所

代理人：

罗笛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-23	公开	公开
2010-12-08	授权	授权
2009-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20090429 授权公告日:20101208 终止日期:20170429

共 50 条

[1]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

焦伟 ;

余强 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

骆菲 .

中国专利 :CN107808903A ,2018-03-16

[2]

一种分离栅MOSFET器件结构及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 ;

刘锋 .

中国专利 :CN108767004A ,2018-11-06

[3]

一种分离栅MOSFET器件结构及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 ;

刘锋 .

中国专利 :CN108767004B ,2024-02-09

[4]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

范让萱 .

中国专利 :CN108039369A ,2018-05-15

[5]

沟槽栅MOSFET器件的制造方法 [P].

孙鹤 .

中国专利 :CN113964038A ,2022-01-21

[6]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

范让萱 .

中国专利 :CN108010847A ,2018-05-08

[7]

沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN104795446A ,2015-07-22

[8]

氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法 [P].

王彩琳 ;

孙军 .

中国专利 :CN101267000A ,2008-09-17

[9]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构及制造方法 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN119300449A ,2025-01-10

[10]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN105702739A ,2016-06-22

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