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沟槽栅MOSFET器件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111121658.4
申请日：
2021-09-24
公开(公告)号：
CN113964038A
公开(公告)日：
2022-01-21
发明(设计)人：
孙鹤
申请人：
申请人地址：
310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L21266
H01L2978
代理机构：
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人：
蔡纯;张靖琳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-01-21 | 公开 | 公开 |
| 2022-02-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210924 |