具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510706074.1

申请日：

2015-10-27

公开(公告)号：

CN105355560A

公开(公告)日：

2016-02-24

发明(设计)人：

陈晨

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2951

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101651542709 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015107060741 申请日:20151027
2016-02-24	公开	公开
2019-09-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20160224

共 50 条

[1]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN105355548B ,2016-02-24

[2]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

陈磊 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN105244374A ,2016-01-13

[3]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN105895516A ,2016-08-24

[4]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

刘坚 .

中国专利 :CN112713184B ,2024-04-02

[5]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

刘坚 .

中国专利 :CN112713184A ,2021-04-27

[6]

具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法 [P].

丛茂杰 ;

陈晨 .

中国专利 :CN106876278A ,2017-06-20

[7]

具有屏蔽栅的沟槽栅结构及其制造方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN105225935A ,2016-01-06

[8]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN106057675B ,2016-10-26

[9]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 .

中国专利 :CN106057674B ,2016-10-26

[10]

屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法 [P].

潘光燃 .

中国专利 :CN110429033A ,2019-11-08

← 1 2 3 4 5 →