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屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610373504.7
申请日：
2016-05-31
公开(公告)号：
CN106057674B
公开(公告)日：
2016-10-26
发明(设计)人：
范让萱
缪进征
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
H01L2128
H01L29423
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2016-11-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 申请日:20160531 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688765765 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2016103735047 |
| 2019-04-09 | 授权 | 授权 |
| 2016-10-26 | 公开 | 公开 |