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分离栅沟槽MOSFET的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011137776.X
申请日：
2020-10-22
公开(公告)号：
CN114388438B
公开(公告)日：
2025-04-18
发明(设计)人：
卞铮 肖魁 方冬
申请人：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址：
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号：
H10D84/03
IPC分类号：
H10D64/27
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
郭凤杰
法律状态：
授权
国省代码：
河北省 保定市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-18 授权 授权
共 50 条
[1]
分离栅沟槽MOSFET的制造方法 [P]. 
卞铮 ;
肖魁 ;
方冬 .
中国专利 :CN114388438A ,2022-04-22
[2]
屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN105870022A ,2016-08-17
[3]
屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法 [P]. 
潘光燃 .
中国专利 :CN110429033A ,2019-11-08
[4]
屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P]. 
范让萱 .
中国专利 :CN108039369A ,2018-05-15
[5]
屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P]. 
范让萱 .
中国专利 :CN108010847A ,2018-05-08
[6]
屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN106057675B ,2016-10-26
[7]
屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P]. 
范让萱 ;
缪进征 .
中国专利 :CN106057674B ,2016-10-26
[8]
沟槽栅MOSFET器件的制造方法 [P]. 
孙鹤 .
中国专利 :CN113964038A ,2022-01-21
[9]
具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P]. 
陈磊 ;
丛茂杰 .
中国专利 :CN105244374A ,2016-01-13
[10]
具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P]. 
陈晨 .
中国专利 :CN105355560A ,2016-02-24
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