氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810018084.6

申请日：

2008-04-29

公开(公告)号：

CN101267000A

公开(公告)日：

2008-09-17

发明(设计)人：

王彩琳孙军

申请人：

申请人地址：

710048陕西省西安市金花南路5号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2910 H01L2908 H01L21336

代理机构：

西安弘理专利事务所

代理人：

罗笛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-10	授权	授权
2018-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20080429 授权公告日:20100210 终止日期:20170429
2008-09-17	公开	公开
2008-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐承福 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN107591453A ,2018-01-16

[2]

超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

田甜 ;

许昭昭 ;

潘嘉 ;

陈思彤 ;

徐进 .

中国专利 :CN120302684A ,2025-07-11

[3]

超结-沟槽栅MOSFET结构及其制造方法 [P].

徐进 ;

黄浩 ;

张蕾 ;

许昭昭 ;

陆泓舟 .

中国专利 :CN120302683A ,2025-07-11

[4]

超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN117995905A ,2024-05-07

[5]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN107591440A ,2018-01-16

[6]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN107706228A ,2018-02-16

[7]

沟槽栅超结器件的制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

李东升 .

中国专利 :CN107994076A ,2018-05-04

[8]

超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN114068678A ,2022-02-18

[9]

一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王彩琳 ;

孙丞 .

中国专利 :CN101540338A ,2009-09-23

[10]

沟槽栅超结MOSFET的制造方法 [P].

柯行飞 .

中国专利 :CN105957897B ,2016-09-21

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