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超结-沟槽栅MOSFET结构及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510294102.7
申请日：
2025-03-12
公开(公告)号：
CN120302683A
公开(公告)日：
2025-07-11
发明(设计)人：
徐进 黄浩 张蕾 许昭昭 陆泓舟
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D64/68 H10D30/01 H10D62/10 H01L21/265 H01L21/266
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
刘昌荣
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-11 公开 公开
2025-07-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250312
共 50 条
[1]
超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
田甜 ;
许昭昭 ;
潘嘉 ;
陈思彤 ;
徐进 .
中国专利 :CN120302684A ,2025-07-11
[2]
超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN117995905A ,2024-05-07
[3]
超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN114068678A ,2022-02-18
[4]
超结沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN118098972A ,2024-05-28
[5]
具有超结沟槽栅的MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 ;
田甜 .
中国专利 :CN118571935A ,2024-08-30
[6]
超结沟槽栅MOSFET结构及其形成方法 [P]. 
许昭昭 ;
田甜 ;
刘冬华 ;
钱文生 .
中国专利 :CN119894043A ,2025-04-25
[7]
具有N型超结沟槽栅的MOSFET器件结构及其制造方法 [P]. 
许昭昭 ;
刘冬华 ;
钱文生 .
中国专利 :CN118538769A ,2024-08-23
[8]
超结沟槽栅MOSFET及制造方法 [P]. 
宋婉 ;
许昭昭 .
中国专利 :CN114068673A ,2022-02-18
[9]
沟槽栅超结MOSFET的制造方法 [P]. 
柯行飞 .
中国专利 :CN105957897B ,2016-09-21
[10]
超结沟槽栅MOSFET及制造方法 [P]. 
宋婉 ;
许昭昭 .
中国专利 :CN114068673B ,2024-06-18
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