共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
具有超结沟槽栅的MOSFET器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410636625.0
申请日：
2024-05-21
公开(公告)号：
CN118571935A
公开(公告)日：
2024-08-30
发明(设计)人：
许昭昭
田甜
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/423
H01L29/06
H01L21/336
H01L21/265
H01L21/223
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
刘昌荣
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省
无锡市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-08-30 | 公开 | 公开 |
| 2024-09-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240521 |