沟槽栅MOSFET及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510184263.7

申请日：

2015-04-17

公开(公告)号：

CN104795446A

公开(公告)日：

2015-07-22

发明(设计)人：

陈正嵘

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L21768 H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-22	公开	公开
2018-02-06	授权	授权
2015-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101621066812 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015101842637 申请日:20150417

共 50 条

[1]

沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

石磊 ;

缪进征 ;

范让萱 .

中国专利 :CN109119477A ,2019-01-01

[2]

沟槽栅MOSFET及制造方法 [P].

石磊 .

中国专利 :CN109148588A ,2019-01-04

[3]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

邵向荣 .

中国专利 :CN105551965A ,2016-05-04

[4]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

范让萱 .

中国专利 :CN108010961A ,2018-05-08

[5]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

范让萱 .

中国专利 :CN108039369A ,2018-05-15

[6]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN105895516A ,2016-08-24

[7]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 .

中国专利 :CN107527948B ,2017-12-29

[8]

沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

蒋容 .

中国专利 :CN111370487B ,2020-07-03

[9]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

范让萱 .

中国专利 :CN108010847A ,2018-05-08

[10]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN107527944B ,2017-12-29

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