沟槽栅功率MOSFET及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710629424.8

申请日：

2017-07-28

公开(公告)号：

CN107527944B

公开(公告)日：

2017-12-29

发明(设计)人：

颜树范

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170728
2020-04-14	授权	授权
2017-12-29	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

邵向荣 .

中国专利 :CN105551965A ,2016-05-04

[2]

沟槽栅功率MOSFET结构及其制造方法 [P].

柯行飞 ;

缪进征 .

中国专利 :CN106024894B ,2016-10-12

[3]

沟槽栅功率MOSFET及制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN109817720A ,2019-05-28

[4]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

张永熙 ;

陈伟 ;

黄海涛 .

中国专利 :CN111276540A ,2020-06-12

[5]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

张永熙 ;

陈伟 ;

黄海涛 .

中国专利 :CN115084236A ,2022-09-20

[6]

沟槽栅功率MOSFET及制造方法 [P].

柯行飞 .

中国专利 :CN106129105B ,2016-11-16

[7]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 .

中国专利 :CN107527948B ,2017-12-29

[8]

沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

石磊 ;

缪进征 ;

范让萱 .

中国专利 :CN109119477A ,2019-01-01

[9]

沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN104795446A ,2015-07-22

[10]

沟槽栅功率器件及其制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN111370463A ,2020-07-03

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