沟槽栅功率MOSFET及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610485339.4

申请日：

2016-06-28

公开(公告)号：

CN106129105B

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

柯行飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	公开	公开
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691394851 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2016104853394 申请日:20160628
2020-04-10	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽栅功率MOSFET及制造方法 [P].

柯行飞 .

中国专利 :CN105932064B ,2016-09-07

[2]

沟槽栅功率MOSFET结构及其制造方法 [P].

柯行飞 ;

缪进征 .

中国专利 :CN106024894B ,2016-10-12

[3]

沟槽栅功率MOSFET及制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN109817720A ,2019-05-28

[4]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN107527944B ,2017-12-29

[5]

一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法 [P].

陈思哲 ;

仲雪倩 ;

黄海涛 ;

陈伟 ;

张永熙 .

中国专利 :CN119835982A ,2025-04-15

[6]

一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法 [P].

陈思哲 ;

仲雪倩 ;

黄海涛 ;

陈伟 ;

张永熙 .

中国专利 :CN119835982B ,2025-07-01

[7]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

张永熙 ;

陈伟 ;

黄海涛 .

中国专利 :CN111276540A ,2020-06-12

[8]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

邵向荣 .

中国专利 :CN105551965A ,2016-05-04

[9]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

张永熙 ;

陈伟 ;

黄海涛 .

中国专利 :CN115084236A ,2022-09-20

[10]

沟槽栅功率器件及其制造方法 [P].

刘坚 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN112397506B ,2024-10-11

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