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一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510303948.2
申请日：
2025-03-14
公开(公告)号：
CN119835982B
公开(公告)日：
2025-07-01
发明(设计)人：
陈思哲 仲雪倩 黄海涛 陈伟 张永熙
申请人：
上海瞻芯电子科技股份有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区南汇新城镇海洋四路99弄创新魔坊一期3号楼8楼
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D30/63 H10D30/01
代理机构：
上海华诚知识产权代理有限公司 31300
代理人：
肖华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20250314
2025-07-01 授权 授权
2025-04-15 公开 公开
共 50 条
[1]
一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法 [P]. 
陈思哲 ;
仲雪倩 ;
黄海涛 ;
陈伟 ;
张永熙 .
中国专利 :CN119835982A ,2025-04-15
[2]
沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P]. 
张永熙 ;
陈伟 ;
黄海涛 .
中国专利 :CN111276540A ,2020-06-12
[3]
沟槽栅功率MOSFET及制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN109817720A ,2019-05-28
[4]
沟槽栅功率MOSFET及制造方法 [P]. 
柯行飞 .
中国专利 :CN105932064B ,2016-09-07
[5]
沟槽栅功率MOSFET及制造方法 [P]. 
柯行飞 .
中国专利 :CN106129105B ,2016-11-16
[6]
沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P]. 
张永熙 ;
陈伟 ;
黄海涛 .
中国专利 :CN115084236A ,2022-09-20
[7]
沟槽栅功率MOSFET结构及其制造方法 [P]. 
柯行飞 ;
缪进征 .
中国专利 :CN106024894B ,2016-10-12
[8]
沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P]. 
邵向荣 .
中国专利 :CN105551965A ,2016-05-04
[9]
沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN107527944B ,2017-12-29
[10]
沟槽功率MOSFET [P]. 
伍震威 ;
周学良 ;
柳瑞兴 ;
苏柏智 .
中国专利 :CN103456791A ,2013-12-18
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