沟槽功率MOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310153257.6

申请日：

2013-04-27

公开(公告)号：

CN103456791A

公开(公告)日：

2013-12-18

发明(设计)人：

伍震威周学良柳瑞兴苏柏智

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	授权	授权
2014-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101562725184 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013101532576 申请日:20130427
2013-12-18	公开	公开

共 50 条

[1]

内嵌沟槽式功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695449U ,2013-01-23

[2]

短沟道沟槽功率MOSFET [P].

R.米娜米萨瓦 ;

L.诺勒 .

中国专利 :CN109314142A ,2019-02-05

[3]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

张永熙 ;

陈伟 ;

黄海涛 .

中国专利 :CN111276540A ,2020-06-12

[4]

沟槽型功率MOSFET及其工艺方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN110993693A ,2020-04-10

[5]

沟槽型功率MOSFET及其制备方法 [P].

周宏伟 ;

阮孟波 ;

吴宗宪 .

中国专利 :CN103426924A ,2013-12-04

[6]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

邵向荣 .

中国专利 :CN105551965A ,2016-05-04

[7]

屏蔽电极式沟槽功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695451U ,2013-01-23

[8]

沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 [P].

张永熙 ;

陈伟 ;

黄海涛 .

中国专利 :CN115084236A ,2022-09-20

[9]

用于沟槽场板功率MOSFET的终端 [P].

塔努杰·萨克塞纳 ;

维什努·克姆卡 ;

贝恩哈德·格罗特 ;

覃甘明 ;

莫安斯·齐图尼 .

中国专利 :CN113540244A ,2021-10-22

[10]

沟槽栅功率MOSFET结构及其制造方法 [P].

柯行飞 ;

缪进征 .

中国专利 :CN106024894B ,2016-10-12

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