屏蔽电极式沟槽功率MOSFET

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220127050.2

申请日：

2012-03-29

公开(公告)号：

CN202695451U

公开(公告)日：

2013-01-23

发明(设计)人：

穆罕默德·恩·达维希曾军苏世宗

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940

代理机构：

北京市浩天知识产权代理事务所 11276

代理人：

刘云贵

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20120329 授权公告日:20130123
2013-01-23	授权	授权

共 50 条

[1]

内嵌电极的多阶沟槽式电场屏蔽功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695450U ,2013-01-23

[2]

内嵌电极的沟槽式单一屏蔽井区功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695452U ,2013-01-23

[3]

内嵌沟槽式功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695449U ,2013-01-23

[4]

沟槽式井区电场屏蔽功率MOSFET结构及制作方法 [P].

苏世宗 ;

曾军 ;

穆罕默德·恩·达维希 .

中国专利 :CN103367144A ,2013-10-23

[5]

带有屏蔽电极的底部源极沟槽MOSFET [P].

雷燮光 ;

马督尔·博德 ;

管林鹏 ;

张磊 .

中国专利 :CN115706155A ,2023-02-17

[6]

带屏蔽电极的功率MOSFET元胞 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN205959988U ,2017-02-15

[7]

内嵌分离式多晶硅电极的沟槽式屏蔽井区功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202796962U ,2013-03-13

[8]

超结型沟槽功率MOSFET器件 [P].

Y·高 ;

凯尔·特里尔 ;

德瓦·帕塔纳亚克 ;

K·陈 ;

T·周 ;

莎伦·石 ;

Q·陈 .

中国专利 :CN102549753B ,2012-07-04

[9]

屏蔽电极 [P].

托马斯·奇拉 .

中国专利 :CN1320572C ,2005-08-17

[10]

屏蔽电极 [P].

罗伊·厄尔·扬二世 ;

凯文·L·亚历山大 ;

吉恩·P·阿尔滕布格尔 ;

瓦尔斯·E·豪 .

中国专利 :CN1550262A ,2004-12-01

← 1 2 3 4 5 →