带有屏蔽电极的底部源极沟槽MOSFET

被引：0

申请号：

CN202210920216.4

申请日：

2022-08-01

公开(公告)号：

CN115706155A

公开(公告)日：

2023-02-17

发明(设计)人：

雷燮光马督尔·博德管林鹏张磊

申请人：

申请人地址：

加拿大安大略省多伦多市国王大街西100号#6000套房

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

董科

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	公开	公开

共 50 条

[1]

屏蔽电极式沟槽功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695451U ,2013-01-23

[2]

带屏蔽电极的功率MOSFET元胞 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN205959988U ,2017-02-15

[3]

用于P-通道沟槽MOSFET的源极镇流 [P].

雷燮光 .

中国专利 :CN110120422B ,2019-08-13

[4]

内嵌电极的多阶沟槽式电场屏蔽功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695450U ,2013-01-23

[5]

在源极接触沟槽中具有集成的伪肖特基二极管的功率MOSFET [P].

邓盛凌 .

中国专利 :CN110718546A ,2020-01-21

[6]

带有集成二极管的自对准沟槽MOSFET [P].

雷燮光 ;

安荷·叭剌 .

中国专利 :CN102544100B ,2012-07-04

[7]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN106057675B ,2016-10-26

[8]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制备方法 [P].

焦伟 ;

余强 ;

桑雨果 ;

姚鑫 .

中国专利 :CN108257869A ,2018-07-06

[9]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN105870022A ,2016-08-17

[10]

具有屏蔽电极的半导体器件及其方法 [P].

加里·H·勒歇尔 ;

彼德·J·兹德贝尔 .

中国专利 :CN1855544B ,2006-11-01

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