内嵌分离式多晶硅电极的沟槽式屏蔽井区功率MOSFET

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220130477.8

申请日：

2012-03-30

公开(公告)号：

CN202796962U

公开(公告)日：

2013-03-13

发明(设计)人：

穆罕默德·恩·达维希曾军苏世宗

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L29417

代理机构：

北京市浩天知识产权代理事务所 11276

代理人：

刘云贵

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20120330 授权公告日:20130313
2013-03-13	授权	授权

共 50 条

[1]

内嵌电极的沟槽式单一屏蔽井区功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695452U ,2013-01-23

[2]

内嵌电极的多阶沟槽式电场屏蔽功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695450U ,2013-01-23

[3]

屏蔽电极式沟槽功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695451U ,2013-01-23

[4]

内嵌沟槽式功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695449U ,2013-01-23

[5]

具有厚的多晶硅－多晶硅隔离的分裂栅极沟槽功率MOSFET [P].

阮文征 ;

严俊荣 ;

V·埃涅亚 .

:CN118588745A ,2024-09-03

[6]

沟槽式井区电场屏蔽功率MOSFET结构及制作方法 [P].

苏世宗 ;

曾军 ;

穆罕默德·恩·达维希 .

中国专利 :CN103367144A ,2013-10-23

[7]

屏蔽栅极沟槽式MOSFET及其源极多晶硅制作方法 [P].

王庆森 ;

陈旷举 ;

刘汉英 .

中国专利 :CN119400692A ,2025-02-07

[8]

一种多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构 [P].

代萌 ;

李承杰 ;

顾嘉庆 .

中国专利 :CN210200737U ,2020-03-27

[9]

通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接 [P].

李亦衡 ;

雷燮光 ;

金钟五 ;

常虹 ;

马督儿·博德 ;

管灵鹏 ;

哈姆扎·耶尔马兹 .

中国专利 :CN105047697A ,2015-11-11

[10]

多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法 [P].

代萌 ;

李承杰 ;

顾嘉庆 .

中国专利 :CN110197791B ,2024-01-23

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