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多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910589417.9
申请日：
2019-07-02
公开(公告)号：
CN110197791B
公开(公告)日：
2024-01-23
发明(设计)人：
代萌
李承杰
顾嘉庆
申请人：
上海格瑞宝电子有限公司
申请人地址：
200131 上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路560号904室
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/04
H01L29/08
H01L29/16
H01L29/78
代理机构：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315
代理人：
南霆
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-23 | 授权 | 授权 |