屏蔽栅极沟槽式MOSFET及其源极多晶硅制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410135158.3

申请日：

2024-01-31

公开(公告)号：

CN119400692A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

王庆森陈旷举刘汉英

申请人：

新唐科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21/28

IPC分类号：

H10D64/01 H10D64/23 H10D30/63 H10D64/27

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

崔博

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20240131

共 50 条

[1]

栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法 [P].

陈瑜 ;

赵阶喜 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103578949A ,2014-02-12

[2]

沟槽肖特基的栅极多晶硅 [P].

陆益 ;

王毅 .

中国专利 :CN215644502U ,2022-01-25

[3]

沟槽式井区电场屏蔽功率MOSFET结构及制作方法 [P].

苏世宗 ;

曾军 ;

穆罕默德·恩·达维希 .

中国专利 :CN103367144A ,2013-10-23

[4]

深沟槽器件的栅极多晶硅的制备方法 [P].

杨继业 ;

姚亮 .

中国专利 :CN103377907A ,2013-10-30

[5]

一种栅极多晶硅多次成膜的Trench MOSFET的制作方法 [P].

张增义 ;

刘统贝 ;

邱毛夹 ;

邱锁 .

中国专利 :CN119403152A ,2025-02-07

[6]

具有厚的多晶硅－多晶硅隔离的分裂栅极沟槽功率MOSFET [P].

阮文征 ;

严俊荣 ;

V·埃涅亚 .

:CN118588745A ,2024-09-03

[7]

用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构 [P].

藤森龄龟 .

中国专利 :CN111834459A ,2020-10-27

[8]

用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构 [P].

藤森龄龟 .

美国专利 :CN111834459B ,2025-05-02

[9]

多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法 [P].

代萌 ;

李承杰 ;

顾嘉庆 .

中国专利 :CN110197791B ,2024-01-23

[10]

多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法 [P].

代萌 ;

李承杰 ;

顾嘉庆 .

中国专利 :CN110197791A ,2019-09-03

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