栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210268972.X

申请日：

2012-07-30

公开(公告)号：

CN103578949A

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

陈瑜赵阶喜罗啸

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578335200 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:201210268972X 申请日:20120730
2014-02-12	公开	公开
2016-11-02	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶硅电阻及其制作方法 [P].

陈华伦 ;

熊涛 ;

陈瑜 ;

陈雄斌 ;

罗啸 .

中国专利 :CN101740639A ,2010-06-16

[2]

锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法 [P].

陈曦 ;

周正良 ;

陈帆 ;

潘嘉 .

中国专利 :CN104064520A ,2014-09-24

[3]

多晶硅电阻及其制作方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN105895622A ,2016-08-24

[4]

多晶硅电阻的制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107919346B ,2018-04-17

[5]

多晶硅电阻的制备方法及多晶硅电阻 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109786216A ,2019-05-21

[6]

多晶硅电阻结构及其制作方法 [P].

薛广杰 .

中国专利 :CN110739314B ,2020-01-31

[7]

多晶硅电阻结构与其制作方法 [P].

林孟汉 ;

黄文铎 ;

才永轩 .

中国专利 :CN112420693A ,2021-02-26

[8]

多晶硅电阻结构与其制作方法 [P].

林孟汉 ;

黄文铎 ;

才永轩 .

中国专利 :CN112420693B ,2025-07-25

[9]

沟槽肖特基的栅极多晶硅 [P].

陆益 ;

王毅 .

中国专利 :CN215644502U ,2022-01-25

[10]

一种金属硅化钨栅极制程中多晶硅电阻制作方法及多晶硅电阻 [P].

周文斌 ;

张磊 .

中国专利 :CN107731674A ,2018-02-23

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