多晶硅电阻及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810043985.0

申请日：

2008-11-24

公开(公告)号：

CN101740639A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

陈华伦熊涛陈瑜陈雄斌罗啸

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2986

IPC分类号：

H01L2702 H01L2102 H01L218238 H01L21768

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	公开	公开
2012-02-29	授权	授权
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005259617 IPC(主分类):H01L 29/86 专利申请号:2008100439850 申请日:20081124
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689531292 IPC(主分类):H01L 29/86 专利号:ZL2008100439850 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108

共 50 条

[1]

多晶硅电阻及其制作方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN105895622A ,2016-08-24

[2]

多晶硅电阻结构及其制作方法 [P].

薛广杰 .

中国专利 :CN110739314B ,2020-01-31

[3]

栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法 [P].

陈瑜 ;

赵阶喜 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103578949A ,2014-02-12

[4]

多晶硅电阻的制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107919346B ,2018-04-17

[5]

多晶硅电阻结构与其制作方法 [P].

林孟汉 ;

黄文铎 ;

才永轩 .

中国专利 :CN112420693A ,2021-02-26

[6]

多晶硅电阻结构与其制作方法 [P].

林孟汉 ;

黄文铎 ;

才永轩 .

中国专利 :CN112420693B ,2025-07-25

[7]

锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法 [P].

陈曦 ;

周正良 ;

陈帆 ;

潘嘉 .

中国专利 :CN104064520A ,2014-09-24

[8]

多晶硅电阻的制备方法及多晶硅电阻 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109786216A ,2019-05-21

[9]

一种多晶硅电阻的制作方法 [P].

卓红标 ;

熊淑平 .

中国专利 :CN110729402A ,2020-01-24

[10]

多晶硅电阻及其制造方法 [P].

U·史密斯 ;

M·赖堡 ;

H·汉森 .

中国专利 :CN1196136A ,1998-10-14

← 1 2 3 4 5 →