一种多晶硅电阻的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201911000316.X
申请日
2019-10-21
公开(公告)号
CN110729402A
公开(公告)日
2020-01-24
发明(设计)人
卓红标 熊淑平
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L4902
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
戴广志
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
多晶硅电阻的制作方法 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN107919346B ,2018-04-17
[2]
栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法 [P]. 
陈瑜 ;
赵阶喜 ;
罗啸 .
中国专利 :CN103578949A ,2014-02-12
[3]
多晶硅电阻及其制作方法 [P]. 
陈华伦 ;
熊涛 ;
陈瑜 ;
陈雄斌 ;
罗啸 .
中国专利 :CN101740639A ,2010-06-16
[4]
多晶硅电阻及其制作方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN105895622A ,2016-08-24
[5]
多晶硅电阻结构及其制作方法 [P]. 
薛广杰 .
中国专利 :CN110739314B ,2020-01-31
[6]
多晶硅电阻结构与其制作方法 [P]. 
林孟汉 ;
黄文铎 ;
才永轩 .
中国专利 :CN112420693A ,2021-02-26
[7]
多晶硅电阻结构与其制作方法 [P]. 
林孟汉 ;
黄文铎 ;
才永轩 .
中国专利 :CN112420693B ,2025-07-25
[8]
多晶硅电阻的制备方法及多晶硅电阻 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109786216A ,2019-05-21
[9]
一种金属硅化钨栅极制程中多晶硅电阻制作方法及多晶硅电阻 [P]. 
周文斌 ;
张磊 .
中国专利 :CN107731674A ,2018-02-23
[10]
多晶硅电阻的制造方法 [P]. 
袁苑 ;
陈瑜 .
中国专利 :CN105047533A ,2015-11-11