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一种金属硅化钨栅极制程中多晶硅电阻制作方法及多晶硅电阻
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710729961.X
申请日：
2017-08-23
公开(公告)号：
CN107731674A
公开(公告)日：
2018-02-23
发明(设计)人：
周文斌
张磊
申请人：
申请人地址：
430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L2364
代理机构：
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人：
郎志涛
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-12-14 | 授权 | 授权 |
| 2018-02-23 | 公开 | 公开 |
| 2018-03-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20170823 |