金属硅化钨栅极工艺中多晶硅电阻的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210415064.9

申请日：

2012-10-26

公开(公告)号：

CN103779199A

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

陈瑜赵阶喜罗啸

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	公开	公开
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582697628 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012104150649 申请日:20121026

共 50 条

[1]

一种金属硅化钨栅极制程中多晶硅电阻制作方法及多晶硅电阻 [P].

周文斌 ;

张磊 .

中国专利 :CN107731674A ,2018-02-23

[2]

多晶硅化钨栅极的制造方法 [P].

吕昭宏 ;

林崇伟 .

中国专利 :CN1345082A ,2002-04-17

[3]

CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法 [P].

王乐平 .

中国专利 :CN105023831B ,2015-11-04

[4]

栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法 [P].

陈瑜 ;

赵阶喜 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103578949A ,2014-02-12

[5]

锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法 [P].

陈曦 ;

周正良 ;

陈帆 ;

潘嘉 .

中国专利 :CN104064520A ,2014-09-24

[6]

多晶硅电阻的制造方法 [P].

袁苑 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN105047533A ,2015-11-11

[7]

多晶硅化金属栅极结构及其制造方法 [P].

刘汉兴 .

中国专利 :CN1670921A ,2005-09-21

[8]

多晶硅电阻的制备方法及多晶硅电阻 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109786216A ,2019-05-21

[9]

未金属硅化多晶硅熔丝 [P].

林松杰 ;

严光武 ;

邱其煦 ;

许国原 .

中国专利 :CN102738114B ,2012-10-17

[10]

形成金属硅化钨栅极的氧化硅侧墙的方法 [P].

陈瑜 ;

马斌 ;

陈华伦 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103730344A ,2014-04-16

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