CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510315138.5

申请日：

2015-06-10

公开(公告)号：

CN105023831B

公开(公告)日：

2015-11-04

发明(设计)人：

王乐平

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101635139643 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015103151385 申请日:20150610
2015-11-04	公开	公开
2018-08-21	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶硅电阻的制造方法 [P].

袁苑 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN105047533A ,2015-11-11

[2]

多晶硅电阻的制备方法及多晶硅电阻 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109786216A ,2019-05-21

[3]

多晶硅电阻及其制造方法 [P].

U·史密斯 ;

M·赖堡 ;

H·汉森 .

中国专利 :CN1196136A ,1998-10-14

[4]

多晶硅电阻及其制造方法 [P].

董金珠 ;

胡君 .

中国专利 :CN103633089B ,2014-03-12

[5]

金属硅化钨栅极工艺中多晶硅电阻的制造方法 [P].

陈瑜 ;

赵阶喜 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103779199A ,2014-05-07

[6]

消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残余的方法 [P].

束伟夫 ;

荆泉 ;

任昱 ;

张旭升 .

中国专利 :CN104465352A ,2015-03-25

[7]

CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法 [P].

石晶 ;

朱巧智 .

中国专利 :CN112038293A ,2020-12-04

[8]

CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法 [P].

石晶 ;

朱巧智 .

中国专利 :CN112038293B ,2024-03-12

[9]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[10]

多晶硅电阻的制备方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN112928209B ,2024-07-23

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