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CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010878375.3
申请日
:
2020-08-27
公开(公告)号
:
CN112038293A
公开(公告)日
:
2020-12-04
发明(设计)人
:
石晶
朱巧智
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L218238
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
戴广志
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-04
公开
公开
2020-12-22
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20200827
共 50 条
[1]
CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法
[P].
石晶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
石晶
;
朱巧智
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
朱巧智
.
中国专利
:CN112038293B
,2024-03-12
[2]
调节多晶硅电阻和扩散电阻的方法
[P].
于双
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
于双
;
冯冰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
冯冰
;
郭振强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
郭振强
.
中国专利
:CN120581426A
,2025-09-02
[3]
CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法
[P].
王乐平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王乐平
.
中国专利
:CN105023831B
,2015-11-04
[4]
锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法
[P].
陈曦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈曦
;
周正良
论文数:
0
引用数:
0
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0
周正良
;
陈帆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈帆
;
潘嘉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
潘嘉
.
中国专利
:CN104064520A
,2014-09-24
[5]
栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法
[P].
陈瑜
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈瑜
;
赵阶喜
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵阶喜
;
罗啸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗啸
.
中国专利
:CN103578949A
,2014-02-12
[6]
一种金属硅化钨栅极制程中多晶硅电阻制作方法及多晶硅电阻
[P].
周文斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周文斌
;
张磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张磊
.
中国专利
:CN107731674A
,2018-02-23
[7]
金属硅化钨栅极工艺中多晶硅电阻的制造方法
[P].
陈瑜
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈瑜
;
赵阶喜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵阶喜
;
罗啸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗啸
.
中国专利
:CN103779199A
,2014-05-07
[8]
改善N型和P型栅极多晶硅接触的方法
[P].
陈瑜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈瑜
;
马斌
论文数:
0
引用数:
0
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0
马斌
;
陈华伦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈华伦
;
罗啸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗啸
;
郭振强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭振强
.
中国专利
:CN104637880A
,2015-05-20
[9]
N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法
[P].
钱文生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钱文生
;
韩峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
韩峰
.
中国专利
:CN102376618B
,2012-03-14
[10]
高级多晶硅电阻器和CMOS晶体管
[P].
M·南达库马尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
德州仪器公司
德州仪器公司
M·南达库马尔
.
美国专利
:CN118872057A
,2024-10-29
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