CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010878375.3
申请日
2020-08-27
公开(公告)号
CN112038293A
公开(公告)日
2020-12-04
发明(设计)人
石晶 朱巧智
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L218238
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
戴广志
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法 [P]. 
石晶 ;
朱巧智 .
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[2]
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于双 ;
冯冰 ;
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[3]
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王乐平 .
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[4]
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周正良 ;
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[5]
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赵阶喜 ;
罗啸 .
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[6]
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[7]
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赵阶喜 ;
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[8]
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陈瑜 ;
马斌 ;
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罗啸 ;
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[9]
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[10]
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M·南达库马尔 .
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