N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010265249.7

申请日：

2010-08-26

公开(公告)号：

CN102376618B

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

钱文生韩峰

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2174

IPC分类号：

H01L21316

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-14	公开	公开
2014-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684702277 IPC(主分类):H01L 21/74 专利号:ZL2010102652497 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131216
2013-10-23	授权	授权
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231930143 IPC(主分类):H01L 21/74 专利申请号:2010102652497 申请日:20100826

共 50 条

[1]

N型射频LDMOS的制造方法 [P].

钱文生 ;

韩峰 ;

王海军 .

中国专利 :CN102376570A ,2012-03-14

[2]

N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法 [P].

钱文生 ;

韩峰 .

中国专利 :CN102129998B ,2011-07-20

[3]

N型多晶硅晶体及其制造方法与N型多晶硅晶片 [P].

翁敬闳 ;

杨承叡 ;

杨瑜民 ;

张元啸 ;

王柏凯 ;

余文怀 ;

施英汝 ;

许松林 .

中国专利 :CN109554751A ,2019-04-02

[4]

改善N型和P型栅极多晶硅接触的方法 [P].

陈瑜 ;

马斌 ;

陈华伦 ;

罗啸 ;

郭振强 .

中国专利 :CN104637880A ,2015-05-20

[5]

N型掺杂多晶硅的制造方法 [P].

黄致远 ;

林经祥 .

中国专利 :CN1393908A ,2003-01-29

[6]

射频LDMOS多晶硅沟道平坦化的工艺方法 [P].

吴智勇 .

中国专利 :CN102522336A ,2012-06-27

[7]

高压P型LDMOS的制造方法 [P].

刘剑 ;

段文婷 ;

孙尧 ;

陈瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103021852B ,2013-04-03

[8]

制造n型多晶硅太阳能电池的方法 [P].

Y·科马特苏 ;

H·D·哥德巴赫 ;

R·E·I·施罗普 ;

L·J·基里格斯 .

中国专利 :CN101331615A ,2008-12-24

[9]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[10]

多晶硅制造系统、多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P].

祢津茂义 ;

小黑晓二 ;

清水孝明 ;

黑泽靖志 ;

久米史高 .

中国专利 :CN102498063A ,2012-06-13

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