改善N型和P型栅极多晶硅接触的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310552622.0

申请日：

2013-11-08

公开(公告)号：

CN104637880A

公开(公告)日：

2015-05-20

发明(设计)人：

陈瑜马斌陈华伦罗啸郭振强

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2128 H01L21768

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101613559467 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2013105526220 申请日:20131108
2018-07-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请公布日:20150520
2015-05-20	公开	公开

共 50 条

[1]

改善栅极多晶硅层厚度损失的方法 [P].

李同奎 ;

夏鹏 .

中国专利 :CN118251006A ,2024-06-25

[2]

栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法 [P].

陈瑜 ;

赵阶喜 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103578949A ,2014-02-12

[3]

制作栅氧化层和栅极多晶硅层的方法 [P].

唐兆云 ;

何有丰 .

中国专利 :CN101958242B ,2011-01-26

[4]

深沟槽器件的栅极多晶硅的制备方法 [P].

杨继业 ;

姚亮 .

中国专利 :CN103377907A ,2013-10-30

[5]

改善栅极多晶硅层电阻值的方法 [P].

金平中 .

中国专利 :CN1747135A ,2006-03-15

[6]

沟槽肖特基的栅极多晶硅 [P].

陆益 ;

王毅 .

中国专利 :CN215644502U ,2022-01-25

[7]

一种NOR Flash栅极多晶硅工艺方法 [P].

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN111129021A ,2020-05-08

[8]

N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法 [P].

钱文生 ;

韩峰 .

中国专利 :CN102376618B ,2012-03-14

[9]

优化N型沟槽MOS管栅极多晶硅的制备工艺及MOS管 [P].

袁晴雯 ;

何增谊 ;

乐双申 ;

刘科科 ;

张立波 .

中国专利 :CN118782468A ,2024-10-15

[10]

P型多晶硅栅极及其制备方法、MOS管 [P].

李龙范 .

中国专利 :CN117476449A ,2024-01-30

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