沟槽肖特基的栅极多晶硅

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202122135645.4

申请日：

2021-09-06

公开(公告)号：

CN215644502U

公开(公告)日：

2022-01-25

发明(设计)人：

陆益王毅

申请人：

申请人地址：

225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29872

代理机构：

扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283

代理人：

郭翔

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20220803 变更事项:专利权人变更前权利人:扬州扬杰电子科技股份有限公司变更后权利人:湖南楚微半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期变更后权利人:410221 湖南省长沙市长沙高新开发区文轩路27号麓谷钰园创业大楼2301
2022-01-25	授权	授权

共 50 条

[1]

用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构 [P].

藤森龄龟 .

中国专利 :CN111834459A ,2020-10-27

[2]

用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构 [P].

藤森龄龟 .

美国专利 :CN111834459B ,2025-05-02

[3]

深沟槽器件的栅极多晶硅的制备方法 [P].

杨继业 ;

姚亮 .

中国专利 :CN103377907A ,2013-10-30

[4]

栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法 [P].

陈瑜 ;

赵阶喜 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103578949A ,2014-02-12

[5]

IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法 [P].

刘继全 ;

孙勤 ;

李琳松 .

中国专利 :CN103035502A ,2013-04-10

[6]

屏蔽栅极沟槽式MOSFET及其源极多晶硅制作方法 [P].

王庆森 ;

陈旷举 ;

刘汉英 .

中国专利 :CN119400692A ,2025-02-07

[7]

改善栅极多晶硅层厚度损失的方法 [P].

李同奎 ;

夏鹏 .

中国专利 :CN118251006A ,2024-06-25

[8]

具有厚的多晶硅－多晶硅隔离的分裂栅极沟槽功率MOSFET [P].

阮文征 ;

严俊荣 ;

V·埃涅亚 .

:CN118588745A ,2024-09-03

[9]

改善栅极多晶硅层电阻值的方法 [P].

金平中 .

中国专利 :CN1747135A ,2006-03-15

[10]

优化N型沟槽MOS管栅极多晶硅的制备工艺及MOS管 [P].

袁晴雯 ;

何增谊 ;

乐双申 ;

刘科科 ;

张立波 .

中国专利 :CN118782468A ,2024-10-15

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