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用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010289834.4
申请日：
2020-04-14
公开(公告)号：
CN111834459A
公开(公告)日：
2020-10-27
发明(设计)人：
藤森龄龟
申请人：
申请人地址：
美国亚利桑那州
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423
H01L21336
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
章蕾
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-10-27 | 公开 | 公开 |
| 2022-01-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200414 |