IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210271995.6

申请日：

2012-08-01

公开(公告)号：

CN103035502A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

刘继全孙勤李琳松

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	公开	公开
2014-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101691489304 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2012102719956 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140115
2016-05-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101732265262 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2012102719956 申请公布日:20130410
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452521570 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2012102719956 申请日:20120801

共 50 条

[1]

深沟槽器件的栅极多晶硅的制备方法 [P].

杨继业 ;

姚亮 .

中国专利 :CN103377907A ,2013-10-30

[2]

沟槽肖特基的栅极多晶硅 [P].

陆益 ;

王毅 .

中国专利 :CN215644502U ,2022-01-25

[3]

多晶硅填充方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063086B ,2018-05-22

[4]

具有厚的多晶硅－多晶硅隔离的分裂栅极沟槽功率MOSFET [P].

阮文征 ;

严俊荣 ;

V·埃涅亚 .

:CN118588745A ,2024-09-03

[5]

栅极沟槽填充方法 [P].

陆怡 ;

李昊 .

中国专利 :CN111244167A ,2020-06-05

[6]

屏蔽栅极沟槽式MOSFET及其源极多晶硅制作方法 [P].

王庆森 ;

陈旷举 ;

刘汉英 .

中国专利 :CN119400692A ,2025-02-07

[7]

多晶硅化钨栅极的制造方法 [P].

吕昭宏 ;

林崇伟 .

中国专利 :CN1345082A ,2002-04-17

[8]

在沟槽内形成多晶硅的方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN103311112A ,2013-09-18

[9]

用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构 [P].

藤森龄龟 .

美国专利 :CN111834459B ,2025-05-02

[10]

用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构 [P].

藤森龄龟 .

中国专利 :CN111834459A ,2020-10-27

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