在沟槽内形成多晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310238394.X

申请日：

2013-06-14

公开(公告)号：

CN103311112A

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

童亮

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市文三路90号科技大厦A1501

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L213213

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-18	公开	公开
2016-01-27	授权	授权
2013-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101531539631 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:201310238394X 申请日:20130614

共 50 条

[1]

深沟槽多晶硅形成方法 [P].

吴智勇 .

中国专利 :CN102468128A ,2012-05-23

[2]

形成多晶硅层的方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1585089A ,2005-02-23

[3]

形成多晶硅的方法 [P].

F·马扎穆托 .

中国专利 :CN106030759A ,2016-10-12

[4]

IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法 [P].

刘继全 ;

孙勤 ;

李琳松 .

中国专利 :CN103035502A ,2013-04-10

[5]

在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法 [P].

徐爱斌 ;

李荣林 ;

李栋 ;

董耀旗 ;

宗登刚 .

中国专利 :CN101625967A ,2010-01-13

[6]

对深沟槽内的多晶硅进行干法刻蚀的方法 [P].

吉黎 ;

虞颖 ;

李虹 ;

王一 ;

张开敏 .

中国专利 :CN101436536A ,2009-05-20

[7]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

陈宏泽 ;

陈昱丞 ;

朱芳村 .

中国专利 :CN1992167A ,2007-07-04

[8]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

张启明 ;

张荣芳 ;

陈宏泽 ;

翁得期 .

中国专利 :CN100487862C ,2007-03-14

[9]

多晶硅光栅和多晶硅光栅的形成方法 [P].

黄舒婷 ;

苏悦阳 ;

郑凯 .

中国专利 :CN120085414A ,2025-06-03

[10]

蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法 [P].

吴燕萍 ;

何岳风 .

中国专利 :CN1191613C ,2003-03-26

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