多晶硅光栅和多晶硅光栅的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311637008.4

申请日：

2023-12-01

公开(公告)号：

CN120085414A

公开(公告)日：

2025-06-03

发明(设计)人：

黄舒婷苏悦阳郑凯

申请人：

北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层

IPC主分类号：

G02B6/13

IPC分类号：

G02B6/136 G02B6/132 G02B6/124 G02B6/12

代理机构：

北京市盈科律师事务所 11344

代理人：

岳蕊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02B 6/13申请日:20231201
2025-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅和多晶硅的选择方法 [P].

宫尾秀一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN107083566A ,2017-08-22

[2]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[3]

多晶硅铸锭炉、多晶硅铸锭方法和多晶硅锭 [P].

周成 ;

何亮 ;

毛伟 ;

徐云飞 ;

李建敏 .

中国专利 :CN109554752A ,2019-04-02

[4]

形成多晶硅的方法 [P].

F·马扎穆托 .

中国专利 :CN106030759A ,2016-10-12

[5]

多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块 [P].

宫尾秀一 ;

冈田淳一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN106414325A ,2017-02-15

[6]

多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块 [P].

宫尾秀一 ;

冈田淳一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN110482555A ,2019-11-22

[7]

多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块 [P].

宫尾秀一 ;

冈田淳一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN110481830A ,2019-11-22

[8]

多晶硅膜的形成方法 [P].

冈田充弘 ;

宫原孝广 ;

西村俊治 .

中国专利 :CN101409232A ,2009-04-15

[9]

多晶硅破碎系统和多晶硅破碎方法 [P].

朱勇兵 ;

陈井建 ;

杨成 ;

冉祎 ;

汪云清 .

中国专利 :CN111001483A ,2020-04-14

[10]

多晶硅结构的形成方法 [P].

张彬 ;

邓浩 .

中国专利 :CN103794485A ,2014-05-14

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