多晶硅结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210434969.0

申请日：

2012-11-02

公开(公告)号：

CN103794485A

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

张彬邓浩

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-14	公开	公开
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582904704 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012104349690 申请日:20121102
2018-02-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20140514

共 50 条

[1]

多晶硅电阻的形成方法 [P].

蒲贤勇 ;

程勇 ;

马千成 .

中国专利 :CN104347347A ,2015-02-11

[2]

深沟槽多晶硅形成方法 [P].

吴智勇 .

中国专利 :CN102468128A ,2012-05-23

[3]

多晶硅光栅和多晶硅光栅的形成方法 [P].

黄舒婷 ;

苏悦阳 ;

郑凯 .

中国专利 :CN120085414A ,2025-06-03

[4]

多晶硅膜的形成方法 [P].

冈田充弘 ;

宫原孝广 ;

西村俊治 .

中国专利 :CN101409232A ,2009-04-15

[5]

多晶硅膜的形成方法 [P].

金亿洙 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1638023A ,2005-07-13

[6]

多晶硅膜的形成方法 [P].

孙暻锡 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

金億洙 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1638022A ,2005-07-13

[7]

多晶硅膜的形成方法 [P].

申承祐 ;

郑愚德 ;

赵星吉 ;

崔豪珉 ;

吴完锡 ;

李郡禹 ;

权赫龙 ;

朴成真 ;

金基镐 ;

李康旭 .

中国专利 :CN106062251A ,2016-10-26

[8]

多晶硅层的形成方法 [P].

许忠义 .

中国专利 :CN103325665B ,2013-09-25

[9]

多晶硅电阻结构及其形成方法 [P].

廖淼 ;

陈芳 .

中国专利 :CN104037173B ,2014-09-10

[10]

形成多晶硅结构 [P].

桑杰伊·纳塔拉詹 ;

凯文·海德里奇 ;

伊布拉西姆·班恩 .

中国专利 :CN1714440A ,2005-12-28

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