多晶硅电阻的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310338253.5

申请日：

2013-08-05

公开(公告)号：

CN104347347A

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

蒲贤勇程勇马千成

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20150211
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601520803 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013103382535 申请日:20130805
2015-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅电阻结构及其形成方法 [P].

廖淼 ;

陈芳 .

中国专利 :CN104037173B ,2014-09-10

[2]

高电阻多晶硅形成方法 [P].

钱文生 ;

周晓君 .

中国专利 :CN101447417A ,2009-06-03

[3]

形成多晶硅电阻的方法及半导体器件 [P].

夏禹 ;

刘丽丽 .

中国专利 :CN105336575B ,2016-02-17

[4]

形成多晶硅的方法 [P].

F·马扎穆托 .

中国专利 :CN106030759A ,2016-10-12

[5]

多晶硅电阻的制备方法及多晶硅电阻 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109786216A ,2019-05-21

[6]

多晶硅结构的形成方法 [P].

张彬 ;

邓浩 .

中国专利 :CN103794485A ,2014-05-14

[7]

多晶硅层的形成方法 [P].

许忠义 .

中国专利 :CN103325665B ,2013-09-25

[8]

多晶硅电阻的制备方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN112928209B ,2024-07-23

[9]

多晶硅电阻的制造方法 [P].

袁苑 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN105047533A ,2015-11-11

[10]

多晶硅电阻的制备方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN112928209A ,2021-06-08

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