多晶硅层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310205826.7

申请日：

2013-05-28

公开(公告)号：

CN103325665B

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

许忠义

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张亚利;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583993026 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2013102058267 申请日:20130528
2013-09-25	公开	公开
2014-04-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700517830 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2013102058267 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140408

共 50 条

[1]

多晶硅电阻的形成方法 [P].

蒲贤勇 ;

程勇 ;

马千成 .

中国专利 :CN104347347A ,2015-02-11

[2]

形成多晶硅层的方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1585089A ,2005-02-23

[3]

多晶硅膜层形貌的形成方法 [P].

王伟军 ;

奚鹏程 ;

杨冰 .

中国专利 :CN103943486A ,2014-07-23

[4]

蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法 [P].

吴燕萍 ;

何岳风 .

中国专利 :CN1191613C ,2003-03-26

[5]

多晶硅光栅和多晶硅光栅的形成方法 [P].

黄舒婷 ;

苏悦阳 ;

郑凯 .

中国专利 :CN120085414A ,2025-06-03

[6]

形成多晶硅锗层的方法 [P].

褚国栋 ;

程立伟 .

中国专利 :CN1664990A ,2005-09-07

[7]

多晶硅膜的形成方法 [P].

冈田充弘 ;

宫原孝广 ;

西村俊治 .

中国专利 :CN101409232A ,2009-04-15

[8]

多晶硅结构的形成方法 [P].

张彬 ;

邓浩 .

中国专利 :CN103794485A ,2014-05-14

[9]

多晶硅膜的形成方法 [P].

金亿洙 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1638023A ,2005-07-13

[10]

多晶硅膜的形成方法 [P].

孙暻锡 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

金億洙 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1638022A ,2005-07-13

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