形成多晶硅锗层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410028649.0

申请日：

2004-03-04

公开(公告)号：

CN1664990A

公开(公告)日：

2005-09-07

发明(设计)人：

褚国栋程立伟

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L21285

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-09-07	公开	公开
2007-12-19	授权	授权

共 50 条

[1]

形成多晶硅层的方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1585089A ,2005-02-23

[2]

蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法 [P].

吴燕萍 ;

何岳风 .

中国专利 :CN1191613C ,2003-03-26

[3]

多晶硅层的形成方法 [P].

许忠义 .

中国专利 :CN103325665B ,2013-09-25

[4]

形成具有粗糙表面的多晶硅的方法 [P].

江瑞星 ;

梁世岳 .

中国专利 :CN1744276A ,2006-03-08

[5]

形成多晶硅的方法 [P].

F·马扎穆托 .

中国专利 :CN106030759A ,2016-10-12

[6]

锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法 [P].

孟鸿林 ;

郭晓波 ;

王雷 .

中国专利 :CN102956475A ,2013-03-06

[7]

形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

翁健森 ;

张志清 .

中国专利 :CN1333447C ,2005-03-09

[8]

于基板上形成多晶硅层的方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1301535C ,2005-01-26

[9]

多晶硅膜层形貌的形成方法 [P].

王伟军 ;

奚鹏程 ;

杨冰 .

中国专利 :CN103943486A ,2014-07-23

[10]

多晶硅棒的选择方法及单晶硅的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

冈田淳一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN103547713B ,2014-01-29

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