多晶硅膜层形貌的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410174829.3

申请日：

2014-04-28

公开(公告)号：

CN103943486A

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

王伟军奚鹏程杨冰

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;林彦之

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-09	授权	授权
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615755812 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014101748293 申请日:20140428
2014-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅膜的形成方法 [P].

冈田充弘 ;

宫原孝广 ;

西村俊治 .

中国专利 :CN101409232A ,2009-04-15

[2]

多晶硅膜的形成方法 [P].

金亿洙 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1638023A ,2005-07-13

[3]

多晶硅膜的形成方法 [P].

孙暻锡 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

金億洙 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1638022A ,2005-07-13

[4]

多晶硅膜的形成方法 [P].

申承祐 ;

郑愚德 ;

赵星吉 ;

崔豪珉 ;

吴完锡 ;

李郡禹 ;

权赫龙 ;

朴成真 ;

金基镐 ;

李康旭 .

中国专利 :CN106062251A ,2016-10-26

[5]

多晶硅层的形成方法 [P].

许忠义 .

中国专利 :CN103325665B ,2013-09-25

[6]

形成多晶硅层的方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1585089A ,2005-02-23

[7]

多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法 [P].

金亿洙 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1333439C ,2005-07-13

[8]

多晶硅膜的形成方法和成膜装置 [P].

本山丰 ;

远藤笃史 .

中国专利 :CN111197179A ,2020-05-26

[9]

多晶硅膜层的制造方法 [P].

林宗彦 ;

林合炫 ;

郑文腾 ;

蔡善宏 .

中国专利 :CN101459145A ,2009-06-17

[10]

多晶硅薄膜及多晶硅栅极的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN101577221A ,2009-11-11

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