多晶硅膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410085785.3

申请日：

2004-10-22

公开(公告)号：

CN1638023A

公开(公告)日：

2005-07-13

发明(设计)人：

金亿洙李镐年柳明官朴宰彻孙暻锡李俊昊权世烈

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21324 H01L2120 B23K2600

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张平元;赵仁临

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101703431363 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2004100857853 变更事项:专利权人变更前:京东方显示器科技公司变更后:海帝士科技公司变更事项:地址变更前:韩国京畿道变更后:韩国京畿道
2014-11-26	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101706834353 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2004100857853 专利号:ZL2004100857853 合同备案号:2014990000768 让与人:海帝士科技公司受让人:京东方科技集团股份有限公司发明名称:多晶硅膜的形成方法申请日:20041022 申请公布日:20050713 授权公告日:20071121 许可种类:普通许可备案日期:20140924
2005-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-07-13	公开	公开
2007-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶硅膜的形成方法 [P].

孙暻锡 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

金億洙 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1638022A ,2005-07-13

[2]

多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法 [P].

金亿洙 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1333439C ,2005-07-13

[3]

多晶硅膜的形成方法 [P].

申承祐 ;

郑愚德 ;

赵星吉 ;

崔豪珉 ;

吴完锡 ;

李郡禹 ;

权赫龙 ;

朴成真 ;

金基镐 ;

李康旭 .

中国专利 :CN106062251A ,2016-10-26

[4]

多晶硅膜的形成方法 [P].

冈田充弘 ;

宫原孝广 ;

西村俊治 .

中国专利 :CN101409232A ,2009-04-15

[5]

多晶硅膜的形成方法和成膜装置 [P].

本山丰 ;

远藤笃史 .

中国专利 :CN111197179A ,2020-05-26

[6]

多晶硅薄膜晶体管的形成方法 [P].

孙暻锡 ;

柳明官 ;

朴宰徹 ;

金亿洙 ;

李俊昊 ;

权世烈 ;

任章淳 .

中国专利 :CN100413040C ,2006-03-15

[7]

多晶硅膜层形貌的形成方法 [P].

王伟军 ;

奚鹏程 ;

杨冰 .

中国专利 :CN103943486A ,2014-07-23

[8]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

陈宏泽 ;

陈昱丞 ;

朱芳村 .

中国专利 :CN1992167A ,2007-07-04

[9]

形成多晶硅的方法 [P].

F·马扎穆托 .

中国专利 :CN106030759A ,2016-10-12

[10]

多晶硅光栅和多晶硅光栅的形成方法 [P].

黄舒婷 ;

苏悦阳 ;

郑凯 .

中国专利 :CN120085414A ,2025-06-03

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