多晶硅膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810167500.9

申请日：

2008-10-10

公开(公告)号：

CN101409232A

公开(公告)日：

2009-04-15

发明(设计)人：

冈田充弘宫原孝广西村俊治

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-15	公开	公开
2012-04-25	授权	授权
2010-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003178811 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2008101675009 申请日:20081010

共 50 条

[1]

多晶硅膜的形成方法 [P].

金亿洙 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1638023A ,2005-07-13

[2]

多晶硅膜的形成方法 [P].

孙暻锡 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

金億洙 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1638022A ,2005-07-13

[3]

多晶硅膜的形成方法 [P].

申承祐 ;

郑愚德 ;

赵星吉 ;

崔豪珉 ;

吴完锡 ;

李郡禹 ;

权赫龙 ;

朴成真 ;

金基镐 ;

李康旭 .

中国专利 :CN106062251A ,2016-10-26

[4]

多晶硅膜层形貌的形成方法 [P].

王伟军 ;

奚鹏程 ;

杨冰 .

中国专利 :CN103943486A ,2014-07-23

[5]

多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法 [P].

金亿洙 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1333439C ,2005-07-13

[6]

多晶硅膜的形成方法和成膜装置 [P].

本山丰 ;

远藤笃史 .

中国专利 :CN111197179A ,2020-05-26

[7]

多晶硅光栅和多晶硅光栅的形成方法 [P].

黄舒婷 ;

苏悦阳 ;

郑凯 .

中国专利 :CN120085414A ,2025-06-03

[8]

多晶硅结构的形成方法 [P].

张彬 ;

邓浩 .

中国专利 :CN103794485A ,2014-05-14

[9]

多晶硅电阻的形成方法 [P].

蒲贤勇 ;

程勇 ;

马千成 .

中国专利 :CN104347347A ,2015-02-11

[10]

多晶硅层的形成方法 [P].

许忠义 .

中国专利 :CN103325665B ,2013-09-25

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