于基板上形成多晶硅层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03143605.6

申请日：

2003-07-25

公开(公告)号：

CN1301535C

公开(公告)日：

2005-01-26

发明(设计)人：

张茂益

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21324 G02F1136

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-01-26	公开	公开
2007-02-21	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶硅层的制作方法 [P].

曹义昌 .

中国专利 :CN1307690C ,2004-06-02

[2]

形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

翁健森 ;

张志清 .

中国专利 :CN1333447C ,2005-03-09

[3]

形成多晶硅层的方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1585089A ,2005-02-23

[4]

形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

彭佳添 ;

廖龙盛 ;

曹义昌 .

中国专利 :CN1314090C ,2004-06-30

[5]

形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

金彬 ;

金海烈 ;

裵钟旭 .

中国专利 :CN1319123C ,2004-05-26

[6]

低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法 [P].

彭佳添 ;

吴焕照 .

中国专利 :CN1536620A ,2004-10-13

[7]

多晶硅基板及其制造方法 [P].

唐丽娟 .

中国专利 :CN104538350A ,2015-04-22

[8]

具有耗尽层的玻璃和构造于其上的多晶硅TFT [P].

庄大可 ;

顾云峰 ;

R·G·曼利 .

中国专利 :CN105164795B ,2015-12-16

[9]

制备多晶硅层的方法 [P].

叶昱均 ;

许民庆 .

中国专利 :CN104253026A ,2014-12-31

[10]

蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法 [P].

吴燕萍 ;

何岳风 .

中国专利 :CN1191613C ,2003-03-26

← 1 2 3 4 5 →